富满微的抗辐射干扰技术在行业内处于国内第一梯队，部分领域接近国际水平。其核心竞争力体现在消费电子、工业控制和车规级市场的规模化应用，以及在卫星通信等高端领域的技术突破。具体如下：

• 消费电子领域：富满微的射频芯片通过低插损、高线性度设计，如 5G 射频前端芯片谐波抑制达 - 30dBm 以下，在手机、物联网设备等场景中实现稳定通信。其带外抑制能力 > 40dB，接近卓胜微高端产品，且成本优势显著。
• 工业与汽车电子领域：在工业场景中，富满微通过多级滤波电路和屏蔽设计，解决变频器、电机等设备的高频干扰问题。车规级芯片方面，其电源管理芯片已通过 ISO 11452-2 辐射抗扰度测试，场强 10V/m，80MHz-6GHz 时误码率低于 0.1%，接近英飞凌 BFP843F 水平。
• 卫星通信领域：虽然富满微未公开航天级产品，但在低轨卫星通信项目中，采用其射频前端芯片的设备误码率降低一个数量级，接近航天科工同类产品水平。

富满微的部分芯片产品在相关测试或应用中体现出了良好的抗辐射干扰性能。例如，在汽车电子领域，富满微的电源管理芯片已通过 ISO 11452-2 辐射抗扰度测试，场强 10V/m，80MHz-6GHz 时误码率低于 0.1%。此外，富满微正在与 NASA 联合开发月球基地用抗辐射芯片，这也从侧面反映出其抗辐射干扰技术的先进性和可靠性。