华邦电子的 HyperRAM™技术未来将朝着更低功耗、更高性能、更小封装尺寸、更广泛应用领域以及标准规范化等方向发展，具体如下：

• 更低功耗：HyperRAM™从设计理念上就旨在取代传统 SDRAM 以降低功耗，未来会持续这一趋势。如 2023 年推出的 1.2V WLCSP 与 1.35V BGA49 封装产品，较 1.8V 产品功耗更节省 33%。未来通过先进制程和创新低功耗电路设计，其功耗将进一步降低。
• 更高性能：2025 年将使用更先进的制程工艺，提升容量、速度等指标。目前 HyperRAM™最高工作频率可达 200MHz，数据传输率高达 800MBps，后续有望实现更高的数据传输速率和更大的容量，以满足日益增长的高性能需求。
• 更小封装尺寸：封装尺寸将持续缩小，从 SDRAM 的 TSOP BG60/54 到 HyperRAM BGA24，以及 4x4mm² 的 BGA49 到晶圆级封装 WLCSP，未来通过更先进的封装技术，如 2.5D 或 3D 封装技术，可进一步缩小封装尺寸，减少电路板占用空间。
• 更广泛应用领域：凭借低功耗和小封装尺寸等优势，其将更多应用于关键词识别、SD 图像处理等轻量级 AI 应用。同时也会在智能汽车领域深入应用，如仪表盘、激光雷达等场景，还适用于边缘计算服务器、协作机器人等设备。
• 标准规范化：HyperRAM™将纳入 JEDEC 标准规范，成为兼容技术，这将使其生态系统更加成熟，随着 NXP、Renesas、ST、TI 等领先业者持续支持 HyperBus® 接口的 MCU，未来会有更多厂商基于标准规范开发相关产品，加速其普及应用。
• 与其他技术融合：通过 Hybrid Bonding 工艺，有望进一步实现更高的精度和更低的功耗。未来可能会与更多先进技术融合，如与 KGD 2.0 技术结合，为客户在 AI - ISP 和 CPU 设计中提供更高效的替代方案。