华邦电子成立于 1987 年，其存储专利技术的发展历程与公司业务发展及技术合作紧密相关，具体如下：

• 技术合作积累阶段：公司早期通过与日本东芝半导体合作，积累了丰富的半导体技术经验，为存储专利技术发展奠定了基础。
• 合作与自主研发过渡阶段：2001 年，东芝退出标准型内存市场后，华邦电子与德国奇梦达集团合作，继续在半导体领域探索，提升技术水平。2009 年奇梦达因金融海啸退出市场，华邦电子买下其专利，开始走上自主研发之路，逐步转向利基型半导体市场，为后续存储专利技术的自主创新提供了契机。
• 闪存技术创新发展阶段：2007 年，华邦电子推出 Quad SPI 序列式闪存，效能优于传统序列式内存，全球闪存市占率逐年提高。2012 年成功量产 46nm 制程技术，2013 年开始投入 3xnm 制程技术研发。2014 年推出 1GB 以上的闪存，提供更大容量的编码式闪存解决方案，此阶段在闪存技术相关专利方面应有相应积累与突破。
• 多元存储专利技术突破阶段：近年来，华邦电子在多种存储技术专利上取得成果。2021 年 3 月提交 “动态随机存取存储器及其制造方法” 专利申请，并于 2025 年获颁专利（专利号 CN115116961B）。2021 年 5 月申请 “动态随机存取存储器及其制造方法” 专利，2024 年获批（授权公告号为 CN115346982B）。2020 年 9 月申请 “电阻式内存装置、其操作方法及其内存晶胞阵列” 专利，2025 年宣布获得该专利（专利号 CN114171084B）。此外，还拥有 “半导体存储器及其控制方法”“易失存储器以及其断电机制的控制方法” 等多项与存储相关的专利，在存储密度、读写速度、功耗控制、存储可靠性等方面不断优化。