卓胜微射频开关技术的专利布局主要围绕提升性能、优化结构、兼容工艺等方向展开，具体如下：

• 性能优化方向：致力于降低 MOS 管寄生电容，如 2025 年公开的 “半导体器件及射频开关器件” 专利（公开号 CN119497416A），通过优化半导体器件的结构设计，减少 MOS 管的寄生电容 Coff，有效降低 MOS 管的 FOM，从而提升射频开关器件的性能和效率，以更好地适应高频高速的应用需求。
• 结构设计方向：注重射频开关芯片结构设计，使其更紧凑、体积更小。如 2024 年取得的 “一种射频开关芯片” 专利（授权公告号 CN108807343B），通过巧妙利用键合线和基板上滤波元件之间的互感，使各滤波元件更容易集成，提高了移植性能，降低成本的同时扩大了适应范围。
• 工艺兼容方向：着眼于兼容已有的工艺器件平台，2025 年获得的 “一种射频开关器件” 专利（授权公告号 CN222928739U），通过特殊的阱结构设计，避免了在有源层和衬底层之间整体插入绝缘层，能够兼容已有的体硅工艺器件平台，且能在关断状态下大幅降低衬底电容对器件的影响。
• 封装技术方向：布局射频模组封装技术相关专利，如 2024 年申请的 “射频模组封装结构及其制作方法” 专利（CN117637497A），通过隔离膜与屏蔽构件设计，将射频模组内部电磁干扰降低 15dB，信号完整性提升 20%，可支持 5G 信号切换等应用。
• 新材料应用方向：探索新材料在射频开关中的应用，如 SiC 衬底技术，使射频开关在 150℃高温下仍能保持稳定信号传输，适配车载雷达 77GHz 频段需求，虽未公开相关专利，但体现了其在材料方面的研发方向，未来可能会在此方面布局专利。