卓胜微的射频开关技术未来将朝着更高集成度、更先进工艺、更广阔应用领域以及更强成本控制能力的方向发展，具体如下：

• 更高集成度的模组化发展：射频前端模组化是产业发展趋势，卓胜微已推出多种射频模组产品，如 DiFEM、LFEM 等。未来，其射频开关技术将进一步与滤波器、功率放大器等器件集成，形成更复杂、高性能的模组，以满足移动智能终端对轻薄化、高性能的需求。
• 工艺技术持续升级：卓胜微 12 英寸射频开关与低噪声放大器生产线的第一代 SOI 工艺已于 2024 年第二季度成功实现量产，第二代 SOI 工艺研发进展顺利。未来，公司将继续推进工艺研发，通过更先进的工艺提升射频开关的性能，降低功耗和成本，增强产品竞争力。
• 向新兴领域拓展应用：目前卓胜微的产品应用领域已从智能手机向通信基站、汽车电子、蓝牙耳机等领域拓展。随着物联网、6G 通信等技术的发展，未来其射频开关技术将在更多新兴领域得到应用，如 6G 预言项目中聚焦的太赫兹频段，公司已在布局相关射频架构设计。
• 强化成本控制能力：随着晶圆制造逐渐上量，降本增效是重要战略目标。卓胜微将对生产过程各环节进行成本控制，提高生产效率和资源利用率，确保效率与良率双提升，打造高效生产流程，以在市场竞争中凭借成本优势获取更大份额。
• 封装技术创新：卓胜微对 3D 堆叠封装进行了创新投入，以实现更好的性能和面积优势，目前产品已经进入验证阶段。未来，公司将继续在封装技术上发力，通过先进封装技术进一步提升射频开关产品的性能和集成度，满足高端应用需求。