华邦电子主要通过产品设计优化、工艺技术改进等方式实现低功耗设计，具体如下：

开发低功耗存储产品：

• GP - Boost DRAM：华邦电子推出的 Green Power 产品 GP - Boost DRAM，运行功耗比常规产品低 10% 左右，待机功耗比常规的 SDRAM 产品低 60% 到 70%，同时带宽较传统产品有所增加，可满足边缘计算等对算力有要求的应用场景的低功耗需求。
• HYPERRAM：针对低功耗 DRAM 市场需求，华邦推出 HYPERRAM 系列，其运行功耗远低于同容量的 Cellular RAM 和 SDRAM。该系列还具备特有的混合睡眠模式（Hybrid Sleep Mode），可进一步降低功耗。

• 采用低电压技术：以 NOR Flash 为例，华邦电子推出 1.2V NOR Flash 产品，产品电压从 1.8V 降低到 1.2V，运行功耗可降低 50%，待机功耗减少 33%。同时，1.2V NOR Flash 能匹配主芯片厂商高制程工艺节点的 SoC，免去电平转换设计，降低 BOM 成本并缩小 PCB 面积。
• 优化封装设计：华邦电子通过缩小封装体积来降低能源消耗，如 100BGA LPDDR4/4X 封装体积相比传统的 200BGA 缩小一半左右，节约了材料成本，还可减少器件在 PCB 的占用空间。HYPERRAM 大多采用 24BGA、WLCSP 这类没有外部塑料的封装，比传统的 LPDDR 产品封装更小，能节约 PCB 面积、降低成本和功耗。
• 应用低温焊接技术：华邦电子推出配合低温焊接制程（~190°C）的闪存产品，符合 JEDEC 标准。低温焊接技术可将焊接温度从 260°C 降到 190°C，显著减少能源消耗和碳排放，还能把插件的波峰焊和回流焊二合一，降低代工厂 SMT 产线的能源消耗和成本。