华邦电子在转型与自主研发阶段取得了诸多重大突破，具体如下：

• 制程技术突破：2013 年，46nm NAND Flash 通过验证；2016 年，38nm DRAM 通过验证；2018 至 2019 年，高雄 12 寸晶圆厂投产，25nm DRAM 量产。如今，其 Flash 制程达 24 纳米，DRAM 达 20 纳米，还计划推出 16 纳米 DRAM，制程技术处于行业前沿，有效提升了存储密度和产品性能。
• 闪存产品创新：2007 年，华邦电子推出 Quad SPI 序列式闪存，效能优于传统序列式内存，使其在全球闪存市占率逐年提高。2014 年，又推出 1Gb 以上的闪存，提供了更大容量的编码式闪存解决方案，目前是全球序列式闪存前三大供应商之一。
• 市场地位提升：华邦电子采取差异化定位策略，专注利基型存储器。随着汽车智能化发展，其聚焦中小容量、高可靠性存储产品，2023 年晋升全球第五大车用存储供应商，NOR Flash 市占率全球第一，DRAM 全球第五，在细分市场占据了重要地位。
• 新型存储架构开发：在接口技术创新方面，开发了 Serial NOR Flash、HYPER RAM 等新型存储架构。其 CUBE（半定制化超高带宽元件）产品可在智能穿戴设备中实现高效数据处理，在边缘计算服务器里提升数据处理效率，为相关领域发展提供了有力的存储支持。
• 专利成果丰硕：华邦集团 2024 年再次入选科睿唯安的全球百大创新机构，彰显了其专利动能表现备受国际专业评鉴肯定。2023 年华邦集团研发经费约占总营收 23%，全球累积获证专利超过 8,500 件，通过专利与营业秘密双轨保护创新成果。