华邦电子在半导体存储专利技术方面有着较为丰富的发展历程，具体如下：

• 技术起源与合作阶段：1987 年公司成立，其技术起源可追溯到与日本东芝半导体的合作。2001 年，随着东芝退出标准型内存市场，华邦电子转而与德国奇梦达集团合作，借此积累技术和经验，为后续发展奠定基础。
• 自主研发起步阶段：2009 年奇梦达因金融海啸影响退出市场后，华邦电子买下其专利，开始走上自主研发之路，逐步转向利基型的半导体市场发展。2008 年公司总部迁至中部科学园区，以十二吋晶圆厂作为主要的研发与生产基地，进一步聚焦存储技术研发。
• 闪存技术发展阶段：2007 年，华邦电子推出了 Quad SPI 序列式闪存，效能优于传统序列式内存，使得其在全球闪存市占率逐年提高。2014 年，又推出 1Gb 以上之闪存，提供更大容量的编码式闪存解决方案，巩固了其在全球序列式闪存市场前三大供应商的地位。
• 制程技术突破阶段：2012 年，华邦电子成功量产 46nm 制程技术，提升了存储芯片的性能和竞争力。2013 年，开始投入 3Xnm 制程技术的研发，持续推进制程技术的进步，以适应市场对更高性能存储芯片的需求。
• 专利成果丰收阶段：近年来，华邦电子在半导体存储专利方面成果丰硕。2024 年 12 月 4 日，获得 “半导体存储装置” 专利（公告号 CN114283862B）。2025 年 1 月 25 日，获颁 “动态随机存取存储器及其制造方法” 专利（专利号 CN115116961B），该专利通过改良工艺，在提升存储密度的同时有效降低了生产成本。2025 年 1 月 29 日，获得电阻式内存装置及其操作方法和内存晶胞阵列的专利（公告号为 CN114171084B），其电阻式内存技术具有高速度、低功耗和高密度的特点。