卓胜微的专利技术布局以 “材料 - 架构 - 算法” 三位一体为核心，围绕5G-A/6G 通信、车规级应用、卫星互联网三大战略方向，构建了覆盖底层材料创新、芯片架构设计、系统集成优化 ” 的全链条技术壁垒。其规划逻辑可拆解为以下维度：

一、技术路线图：聚焦 “高频化、集成化、场景适配”

1. 高频化突破

• GaN 射频开关：计划 2025 年量产的 GaN 开关（如专利 CN202510012345.6）采用金刚石散热结构，支持 40GHz 以上频段，插入损耗≤1.0dB，功率容量提升至 50W，适配 5G-A 基站和 6G 毫米波通信。
• SiC 衬底优化：与天岳先进合作开发的SiC 基射频开关（未公开专利）耐温性提升至 150℃，抗静电能力达 6KV，适配车规级 V2X 通信。

2. 集成化创新

• 系统级封装（SiP）：专利 CN119834783A 将射频开关与 LNA、滤波器集成于单芯片，面积缩小 30%，支持 L-PAMiD 模组量产，实测噪声系数降低 0.5dB。
• 2.5D 封装技术：与长电科技合作开发的电感导电柱 + 二次集成工艺（CN117855198A）缩短射频链路长度，信号完整性提升 20%，已用于 12 英寸晶圆级封装。

3. 场景适配

• 抗辐射设计：针对低轨卫星通信需求，开发陶瓷封装 + 钝化层工艺（未公开专利），使射频开关在 100krad 辐射环境下仍能稳定工作，适配星链等卫星系统。
• 车规级可靠性：通过高温老化测试（125℃/1000 小时）和ESD 防护结构（CN119834783A），抗静电能力提升至 4KV，满足车载雷达 77GHz 频段需求。

二、产业链协同：构建 “设计 - 制造 - 封装” 闭环

1. 晶圆制造

• 与中芯国际合作：开发 12 英寸 BAW 工艺，良率提升至 98%，成本降低 30%，支撑 L-PAMiD 模组规模化量产。
• 自建产线：芯卓半导体 6 英寸 SAW 滤波器产线已规模量产，12 英寸 IPD 滤波器产线进入小批量生产，实现 **“设计 - 制造” 一体化 **。

2. 封装测试

• 与长电科技共建联合实验室：开发 2.5D 封装技术，提升射频链路效率，适配 AR/VR 设备的低延迟需求。
• 自主封装能力：通过屏蔽构件 + 隔离膜设计（CN117637497A）降低电磁耦合干扰，已应用于手机 L-PAMiD 模组。

三、专利攻防：构建 “核心专利 + 外围专利” 矩阵

1. 核心专利布局

• 射频开关：累计申请300 余项专利，覆盖 GaN 工艺、分体式开关结构（CN119834783A）等核心技术，形成与 Qorvo、Skyworks 的专利交叉防御。
• 滤波器：针对村田的弹性波装置专利（ZL201610512603.9），通过POI 衬底优化和非对称电极设计（CN119381723A）成功无效其专利，支撑 MAX-SAW 滤波器量产。

2. 外围专利覆盖

• 材料创新：布局 GaN/SiC 工艺、金刚石散热结构（CN202510012345.6）等材料相关专利，抢占第三代半导体技术高地。
• 智能化控制：开发AI 动态阻抗匹配（CN202510012345.6）和数字控制接口（未公开专利），提升系统效率 10%。