卓胜微的 Fab - Lite 模式技术门槛较高,原因如下:
- 芯片设计技术:卓胜微需具备强大的射频前端芯片设计能力,涵盖射频开关、滤波器、低噪声放大器等多种器件。例如,在射频开关设计上,要实现低插入损耗、高隔离度、快速切换速度等高性能指标,需深入掌握半导体物理、电路原理等知识,以及积累丰富的设计经验。同时,随着通信技术向 5G 乃至更先进标准演进,芯片设计要满足高频、高速、低功耗等复杂要求,设计难度和技术门槛不断提升。
- 工艺制造技术:公司建立了 6 英寸和 12 英寸晶圆生产线,掌握了如 IPD(集成无源器件)工艺、SAW(声表面波)滤波器工艺等。以 12 英寸 IPD 平台为例,进入规模量产阶段需要在薄膜沉积、光刻、蚀刻等工艺环节具备高精度控制能力。此外,射频开关和低噪声放大器的第一代工艺生产线实现工艺通线并量产,也意味着卓胜微在工艺制造方面攻克了诸多技术难题,掌握了关键工艺技术。
- 封装测试技术:为满足产品小型化、高性能的需求,卓胜微对 3D 堆叠封装等先进封装技术进行创新投入。封装技术不仅影响芯片的性能和可靠性,还关系到产品的成本和市场竞争力。在测试环节,需要拥有高精度的测试设备和专业的测试技术,以确保产品符合严格的性能指标和质量标准。
- 产业链协同技术:Fab - Lite 模式要求企业在设计、制造、封装测试等产业链环节实现高效协同。卓胜微需建立完善的信息管理系统和协同机制,使各环节紧密配合,确保产品研发和生产的顺利进行。例如,在新产品开发过程中,设计部门要与制造部门密切沟通,根据工艺能力优化设计方案;制造部门要及时反馈工艺问题,协助设计部门进行改进。
总之,卓胜微的 Fab - Lite 模式涉及到芯片设计、工艺制造、封装测试等多个领域的高端技术,需要企业在技术研发、人才培养、设备投入等方面进行持续的积累和投入,以提升自身的技术实力和市场竞争力。