卓胜微射频开关技术的发展历程如下：

• 早期起步与技术积累（2012 - 2016 年）：2012 年卓胜微成立，专注于射频集成电路领域。公司早期以射频开关和低噪声放大器为着力点，避开了射频滤波器和功率放大器市场。当时，公司采用 “跟随策略”，针对外企产品做优化，如将射频开关的插入损耗从 1.5dB 降至 0.6dB，功耗降低 30%，成本却只有海外产品的 70%，积累了一定的技术基础和市场份额。
• 产品突破与市场拓展（2016 - 2019 年）：2016 年，随着华为、小米等国产手机品牌崛起，卓胜微推出支持 4G 全网通的射频前端模组，首次实现开关、LNA、滤波器的集成，为手机厂商节省 20% 的 PCB 面积，成功替代美国供应商，在国产手机供应链中占据了重要地位。2019 年，国产替代化进程加速、5G 通信支持频段数量增多，单个移动终端射频前端的需求显著增长，公司营收大幅增长，同年公司实现了射频前端模组从无到有的突破。
• 模组化发展与技术升级（2020 - 2024 年）：2020 年，卓胜微启动芯卓半导体产业化项目建设，经营模式由 Fabless 逐步转向 Fab - Lite 模式。2022 年，公司推出 5G UltraFEM 模组，集成 PA、滤波器等器件，性能比肩 Skyworks，价格低 25%，进入高端市场。在此期间，公司不断丰富模组产品类型，推出了接收端模组 DiFEM、L - DiFEM、LFEM、LNA BANK、WiFi FEM、主集收发射模组 L - PAMiF 等。2024 年，公司的 12 英寸 IPD 平台进入量产阶段，12 英寸射频开关和低噪声放大器的第一代工艺生产线实现工艺通线并进入量产，射频开关产品已集成至模组开始量产出货，同时在发射端 L - PAMiD 模组产品上实现了从 “0” 到 “1” 的突破，其性能达到行业主流水平，并已获部分品牌客户验证通过。

总体而言，卓胜微从最初的射频开关分立器件研发，到逐步实现模组化集成，通过不断的技术创新、工艺改进以及产线建设，在射频开关技术领域取得了显著的发展，成为国内射频前端芯片的龙头企业，具备了与国际领先企业竞争的实力。