华邦电子的 DRAM 产品制程技术发展方向主要包括以下几个方面：

• 制程工艺不断微缩：华邦电子一直在推进 DRAM 制程工艺的微缩。从已有的制程来看，其经历了从 46nm 到 3Xnm，再到 25nm、20nm 的发展。目前，20nm 制程利基型 DDR3 产品已实现大规模出货，20nm 级的 D20 工艺良率达到 90% 以上，高雄工厂相关产能达每月 15000 片晶圆。未来，公司计划在 2025 年推出更为先进的 16nm DRAM 工艺，以提高芯片性能、降低功耗和成本，提升产品在市场上的竞争力，力争成为三星电子、SK 海力士、美光三大巨头后第二梯队的头名。
• 面向特定应用场景的定制化：华邦电子聚焦于利基型内存市场，针对汽车、工业、物联网、边缘计算等特定应用场景进行定制化开发。例如，为满足边缘侧设备对空间、功耗的严格限制以及高算力需求，开发出了兼具少引脚、超低功耗和高传输速度的 HYPERRAM™，以及创业界先河的 BGA100 球 LPDDR4 (x) 产品，覆盖 1~4Gbit 容量，数据传输带宽达到 8.5GB/s，契合边缘 AI 系统的高带宽低容量需求。此外，华邦电子现积极投入定制化人工智能存储器业务，瞄准 HBM 及利基型 DRAM 之间的市场需求，是市场上唯一的定制化人工智能存储器解决方案供应商，已有逾 10 个 Design - in 的项目客户，其中一穿戴装置应用之美系客户已通过 POC，将于 2026 年进入量产。
• 3D 堆叠技术的应用：华邦电子推出 CUBE 解决方案，采用 3D 堆叠技术，将 SoC 裸片置上，DRAM 裸片置下，通过 TSV（硅通孔）工艺实现芯片间的连接。这种技术可以实现更薄的芯片厚度、更好的信号完整性和电源完整性，降低功耗，同时提供超高带宽，满足边缘计算和生成式 AI 等应用对内存的高带宽、低功耗需求。例如，通过 CUBE 解决方案，可将 LPDDR4 的功耗降低至原来的四分之一，带宽最高可增至 256GB/s。华邦还成立了 3D CaaS 平台，向客户提供包括 DRAM、中介层、硅电容在内的整体解决方案，进一步推动 3D 堆叠技术在 DRAM 产品中的应用。