华邦电子的历史发展脉络如下：

创立与起步（1987-1994 年）

• 1987 年 9 月，焦佑钧先生在新竹科学园区创立华邦电子，创立资本 1.25 亿新台币。
• 1988 年 3 月，与工研院签订集成电路产品授权契约及集成电路制程技术授权合作协议；10 月，第一座五寸晶圆厂一厂落成启用，产出第一片晶圆。
• 1989 年 11 月，液晶显示驱动器之电话拨号 IC 开发成功。
• 1990 年 6 月，美国子公司 Winbond Electronics Corporation America 成立。
• 1991 年 1 月，台湾省首颗 64K SRAM 开发成功。
• 1993 年 9 月，High Speed SRAM 0.6 微米量产。
• 1994 年 3 月，亚洲第一颗单芯片影像解压缩 IC 开发成功。

技术合作与拓展（1995-2007 年）

• 1995 年 12 月，与日本东芝签署 DRAM 策略结盟合约；同年在台湾证券交易所挂牌上市。
• 1997 年 6 月，0.6 微米嵌入式模拟闪存制程开发成功。
• 1998 年 12 月，并购美国 Information Storage Devices (ISD) 公司。
• 1999 年 4 月，购并美国 Cirrus Logic 公司 TFT LCD Driver 产品线。
• 2000 年 5 月，与日本东芝、富士通共同开发 0.13 微米沟槽式 DRAM 制程技术。
• 2002 年 5 月，与德国 Infineon 公司签订 0.11 微米 DRAM 制程移转协议。
• 2003 年 6 月，Winstack Flash 0.18 微米制程技术制造之 32MB 闪存开始量产。
• 2004 年 7 月，华邦中科 12 吋晶圆厂动土开工。
• 2005 年 4 月，并购美商国家半导体于以色列的先进个人计算机事业处；6 月，收购美商 NexFlash 公司全数股份。
• 2006 年 8 月，与德国 Qimonda 公司签订 80 奈米制程技术移转协议。
• 2007 年，推出 Quad SPI 序列式闪存。

转型与自主研发（2008-2017 年）

• 2008 年 4 月，新唐科技股份有限公司成立，华邦电子取得逻辑芯片事业群；同月与德国奇梦达公司签订 65 奈米 Buried Word Line DRAM 技术移转协议；7 月，公司总部迁至中部科学园区。
• 2009 年 2 月，业界首颗 90 奈米制程技术制造之 16MB Serial Flash 量产；11 月，与日本尔必达公司建立 DRAM 制造合作关系。
• 2011 年 12 月，自主开发 46 奈米 DRAM 制程技术量产。
• 2012 年 1 月，自主开发 58 奈米 Flash 制程技术量产；12 月，Serial NOR Flash 营收市占率全球第一。
• 2013 年 12 月，自主开发 46 奈米 NAND Flash 制程技术验证成功。
• 2017 年 6 月，第一颗自主开发之 38 奈米 DRAM 产品进入量产；9 月，宣布在高雄路竹园区投资新台币 3300 亿兴建新一代的 12 吋晶圆厂。

创新发展（2018 年 - 至今）

• 2021 年 6 月，第一颗自主开发之 25S 奈米 DRAM 产品通过验证进入量产。
• 2022 年 12 月，高雄厂获得质量系统及环安卫国际标准验证，9 月产出第一颗 4G DDR3 产品。
• 2023 年 7 月，自主开发 45 奈米 NOR Flash 制程技术验证成功；8 月，第一颗自主开发之 20 奈米 DRAM 产品进入量产；9 月，CUBE 架构之超高带宽与低功耗内存产品开发完成并送样。