未来卓胜微的专利发展方向主要体现在以下几个方面：

工艺技术平台拓展

• 材料工艺多元化：进一步完善技术平台，围绕 RFCMOS、SOI、锗硅、砷化镓等多种材料工艺进行专利布局，提升在不同材料工艺下的芯片性能和集成度，以满足不同应用场景对射频器件的需求。
• 滤波器工艺升级：通过自有的滤波器工艺研发平台，在滤波器的设计、制造工艺等方面持续创新，如提升 MAX - SAW 滤波器性能、推进 BAW/FBAR 滤波器技术研发等，以实现射频模组产品的全面国产化，打破国外厂商在高端滤波器领域的垄断，相关工艺和结构创新将是专利发展重点。

产品集成与模组化创新

• 高端模组研发：在射频模组领域，继续推进高集成度、高性能的射频模组产品研发，如 L - PAMID 等 “明珠型” 产品，集成更多的射频功能器件，提高模组的整体性能和可靠性，围绕这些高端模组的架构设计、集成工艺等方面将产生新的专利。
• 系统级集成创新：从单一的射频器件集成向系统级集成方向发展，将射频前端与其他系统功能进行深度融合，如与基带芯片、电源管理等的集成，实现更高效的通信系统解决方案，相关系统级集成技术和接口技术等将是专利创新的重点。

新兴应用领域拓展

• 物联网应用：面向物联网领域，开发适用于物联网设备的低功耗、高集成度的射频连接芯片和模组，如 Connectivity MCU 等，满足物联网设备对长距离传输、低功耗运行的需求，在物联网射频技术和应用方案方面形成新的专利。
• 汽车电子等领域：在汽车电子、卫星通信等新兴领域，研发满足其特殊要求的射频器件，如汽车雷达的射频前端芯片、卫星通信的高频段射频模块等，针对这些特定应用场景的射频技术和产品创新将成为专利布局的新方向。