华邦电子在电压控制优化方面有以下具体案例：

“半导体存储装置及其控制方法” 专利

华邦电子于 2023 年 5 月申请的专利 “半导体存储装置及其控制方法” 公开号为 CN118782116A。该半导体存储装置包括至少一感应放大器，以及控制部。感应放大器包括一对第 1 晶体管与一对第 2 晶体管，控制部基于感应放大器中晶体管的特性调整电压，提供给晶体管，使连接感应放大器的位线电压在偏移消除操作中接近特定目标电压。这样的设计减少了因电压波动带来的数据错误，提高了数据存储的可靠性，同时有效提升了存储的响应速度和能耗效率。

“电压产生电路” 专利

2023 年 7 月，华邦电子申请了 “电压产生电路” 专利，公开号为 CN119024914A。该电路包括第一比较器、升压电路、第二比较器以及输出电路。第一比较器比较第一参考电压与第一反馈电压，产生第一控制信号，升压电路受控于第一控制信号将升压电压输出到第一输出节点。第二比较器比较第二参考电压与第二反馈电压，产生第二控制信号，输出电路接收升压电压，受控于第二控制信号将升压电压转换为驱动电压输出到第二输出节点7。通过这种方式，实现了精准的电压生成与转换。