卓胜微此前主要深耕移动智能终端领域，该项目标志着公司从小功率射频走向大功率射频，业务领域从消费电子拓展到 5G 基站端，有望打开基站射频器件新的成长空间，进一步完善公司的产品线和市场布局，实现射频前端产品的全面覆盖，提升公司在射频领域的市场份额和综合竞争力

卓胜微通信基站产品采用了以下工艺：

• GaAs 工艺：其射频功率放大器产品采用 GaAs 工艺，该工艺具有较高的输出功率和效率，以及较好的射频特性，能够满足通信基站对信号放大的高性能要求，有效提升信号强度和传输距离.
• RF SOI 工艺：射频开关产品采用 RF SOI 工艺，这种工艺可以在保证高性能的同时，实现较好的集成度和较低的功耗，有助于提高通信基站的整体性能和能效比，使信号切换更加快速、稳定.
• IPD 工艺：滤波器采用 IPD 工艺，具有设计堆叠体积小、调试灵活、成本低、产能充足等多重优势，能够在较小的空间内实现高性能的滤波功能，满足通信基站对滤波器的小型化、高性能和低成本的需求.