瑞芯微 RK1808 支持的多种存储类型在功耗方面存在以下差异：

DDR 系列内存（DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4）：

• DDR2：相对比较老旧，在相同性能需求下，其功耗较高。因为其技术相对落后，电路设计和制程工艺等方面都不如后续的 DDR 版本优化得好，所以在功耗控制上表现较差。
• DDR3：功耗相较于 DDR2 有所降低。在电路设计上进行了改进，并且随着制程工艺的不断提升，其能耗效率得到了一定的提高。但是在一些对功耗要求非常严格的应用场景中，DDR3 的功耗仍然可能是一个需要考虑的因素。
• DDR3L：是 DDR3 的低电压版本，主要优势就是降低了功耗。通过降低工作电压，DDR3L 在保持与 DDR3 相近性能的同时，能够显著减少电量的消耗，特别适合对功耗敏感的移动设备或嵌入式系统。
• DDR4：在功耗方面有了进一步的优化。采用了更先进的电路设计和制程工艺，不仅提高了数据传输速率，还降低了工作电压，使得 DDR4 在提供高性能的同时，能够有效地控制功耗。与前几代 DDR 内存相比，DDR4 在相同的工作负载下能够节省更多的电量。

1. Serial SPI NOR 闪存：具有较低的功耗。这是因为它的工作原理相对简单，在读取操作时只需要较低的电压和电流即可完成数据的读取。并且在待机状态下，Serial SPI NOR 闪存几乎不消耗电量，只有在进行读写操作时才会有短暂的功耗增加。所以，在一些对功耗要求极高的便携式设备或需要长时间待机的设备中，Serial SPI NOR 闪存是一种比较理想的存储选择。
2. NAND Flash：读写操作时的功耗相对较高。由于 NAND Flash 的存储结构和工作方式，在进行数据写入和擦除操作时需要较高的电压和电流来完成电荷的注入和擦除，这导致了其在读写过程中的功耗较大。不过，在大容量存储方面具有成本优势，所以在一些对功耗要求不是特别苛刻，但对存储容量有较高需求的设备中，NAND Flash 仍然得到了广泛的应用。
3. eMMC：功耗介于 NAND Flash 和 Serial SPI NOR 闪存之间。eMMC 在集成度和性能方面进行了优化，其内部的控制器和闪存芯片的协同工作使得在数据读写时能够更加高效地利用电能，从而降低了整体的功耗。同时，eMMC 的封装形式也有利于减少电路中的能量损耗，使其在功耗控制上表现较好，适合在对功耗和存储性能都有一定要求的嵌入式设备中使用。