华邦电子 DRAM 产品制程经历了不断的演进，具体过程如下：

早期阶段：

• 1997 年，华邦电子开始拥有自己的 8 英寸晶圆厂，并开始涉足 DRAM 的制造。当时的制程技术相对较为基础，与行业内的领先水平有一定差距。
• 2000 年，华邦电子加入富士通 - 东芝 DRAM 开发计划，采用 0.13 微米沟槽 DRAM 技术，这是其在 DRAM 制程技术上的一次重要进步，为后续的发展奠定了基础。

46 纳米及之后的制程突破：

• 2008 年，华邦电子从奇梦达获得 DRAM 技术转让，经过不断的研发和改进，在 2011 年开始实现 46 纳米制程技术的量产，这是华邦电子 DRAM 产品制程的一个重要里程碑，标志着其在 DRAM 领域的技术水平得到了显著提升。
• 2015 年，华邦电子推出 38 纳米制程的 DRAM 产品，进一步提高了芯片的集成度和性能。

25 纳米制程的发展：

• 华邦电子在 2021 年推出 25 纳米制程的 DRAM 产品，并不断进行优化。该制程的产品在功耗、性能和成本等方面都具有较好的表现，成为华邦电子 DRAM 产品的主力制程之一。
• 2022 年，华邦电子在高雄的晶圆厂开始投产 25 纳米的改进版 25S 纳米制程，进一步提升了产品的性能和良率。

20 纳米及以下制程的探索：

• 华邦电子高雄厂在 2023 年已经开始量产 20 纳米的 DRAM 产品，目前产能为 1 万片 / 月，后续计划提升到 1.5 - 2 万片 / 月。这一制程的产品具有更高的性能和更低的功耗，能够满足市场对高性能 DRAM 的需求。
• 华邦电子还在不断进行研发，未来有望推出 16 纳米以及更先进制程的 DRAM 产品，以保持其在 DRAM 领域的竞争力。