华邦电子 1.2V NOR Flash 通过多种方式提高终端产品竞争力。首先，其低功耗特性能够帮助终端产品延长电池续航时间，这在如今消费者对设备续航能力要求越来越高的市场环境下，具有极大的吸引力。例如，对于 TWS 耳机和智能手表等产品，使用华邦的 1.2V NOR Flash 可助力提高终端产品竞争力。其次，该产品提供高存储容量，满足了新一代智能设备对代码存储空间的更高要求。在工作频率为 50MHz 的读取模式下，能够快速响应设备的读取需求，提高设备的运行效率。此外，华邦 1.2V NOR Flash 采用小尺寸封装形式，符合行业标准封装的 USON8 - 3x4 和 WLCSP 等封装形式，不仅节约了 PCB 面积，降低了成本，还减少了材料消耗，为终端产品的设计提供了更多的灵活性和成本优势。

华邦电子的 1.2V NOR Flash 可以通过以下几个方面提高终端产品的竞争力：

1. 低功耗：与 1.8V SPI Flash 产品相比，华邦 1.2V NOR Flash 可将 Flash 本身的运行功耗降低三分之一。例如，在工作频率为 50MHz 的读取模式下，1.8V SPI Flash 内存的工作电流为 4mA，功耗为 7.2mW；而同样在 50MHz 时，华邦 1.2V SPI Flash 内存的工作电流也为 4mA，但功耗仅为 4.8mW，使用 1.2V SPI Flash 替换 1.8V 产品，可立即节省 33% 的功耗。这对于电池容量较小的终端设备，如 TWS 耳机、健身手环等可穿戴设备，能够大幅延长产品续航时间，而电池续航时间是影响消费者购买此类设备的关键因素。
2. 工作电压范围广：其工作电压的扩展范围是 1.14V - 1.6V，例如 W25QXXND 1.2V 系列产品可达到 1.5V 延伸电压，支持 1.14V 至 1.58V 的工作电压区间，可兼容单节 AA 型碱性电池的输出电压，能大幅简化系统设计。
3. 多种封装规格：提供 2mmx3mm USON8、narrow 150mils SOP8、6x5mm WSON8-pin 等多种封装规格和 KGD（Known Good Die），还提供小尺寸封装形式如 WLCSP 等，不仅节约了 PCB 面积、降低了成本，还减少了材料消耗，符合终端设备，尤其是可穿戴设备对空间利用度的高要求。同时，其小尺寸封装形式能节约 PCB 面积、降低成本，为终端产品的设计提供了更多灵活性。
4. 高存储容量：目前有包括 8MB、16MB、32MB、64MB、128MB、256MB 等多种容量规格可供选择，可满足智能设备对代码存储空间的更高要求。
5. 高数据传输速率：支持标准、双通道与四通道 SPI 及 QPI 接口，数据传输速率最高可达每秒 52MB，能快速响应设备的读取需求，提高设备的运行效率。
6. 简化系统设计：随着 SOC 工艺向更先进的制程发展，新一代 SOC 的 I/O 电压正在逐步降低，目前已经低于 1.8V，因此需要搭配电平转换器才能与传统的 1.8V/3V SPI Flash 连接，这将导致额外的成本支出并增加系统设计的复杂性。而采用 1.2V NOR Flash，SOC 无需电平转换器即可直接连接到 SPI Flash，从而降低 BOM 成本和 PCB 占用空间。

这些特点使得华邦电子的 1.2V NOR Flash 产品适用于多种终端设备，尤其是可穿戴设备、物联网设备等，可用于存储安全数据、配置信息、设备程序代码等。同时，其低电压特性也适应了一些先进工艺制造的终端主控芯片的要求，无需电平转换器即可直接连接，从而降低成本并简化系统设计。