卓胜微在通信基站领域取得了一定的成果。公司正按规划进度推动 “5G 通信基站射频器件研发及产业化项目” 的顺利实施。卓胜微向特定对象发行股票，其中部分募集资金投向了 5G 通信基站射频器件项目。公司采用 GaAs 工艺的射频低噪声放大器产品及 RF SOI 工艺的射频开关产品已在通信基站领域实现客户端小批量出货。

卓胜微在射频领域具有丰富的技术储备，已形成多项发明专利和实用新型专利，为其在通信基站领域的发展提供了有力保障。同时，公司坚持自主研发核心技术，不断拓展产品线，从射频分立器件和接收端模组市场，进而布局发射端射频模组产品，逐步实现射频前端产品的全面布局。5G 通信技术带动射频前端市场需求快速增长，卓胜微产品持续渗透。此外，卓胜微还指出，应用于 5G NR 频段的 L-PAMiF 主要由射频功率放大器、射频开关、低噪声放大器、滤波器所集成，该产品是兼具信号接收和发射功能的高集成度模组，集成的射频器件类型较多，其设计难度和工艺复杂度更大，性能要求更高。其中功率放大器采用的是 GaAs 工艺，具有较高的输出功率和效率、较好的射频特性；滤波器采用的是 IPD 工艺，具有设计堆叠体积小、调试灵活、成本低、产能充足等多重优势。

卓胜微通信基站领域的研发项目成果

卓胜微在通信基站领域积极投入研发，并取得了一系列成果。公司致力于 5G 通信基站射频器件的研发与产业化，通过持续的创新和技术积累，不断推动项目的进展。例如，在射频前端芯片的设计和制造方面，卓胜微成功突破了多项技术难题，提高了产品的性能和稳定性。

其研发的射频前端芯片能够更好地适应 5G 通信基站对高频、高速、高功率等方面的要求，为提升通信基站的信号传输质量和覆盖范围提供了有力支持。此外，公司还在滤波器、功率放大器等关键器件的研发上取得了重要进展，进一步优化了通信基站的射频系统。