华邦 W25QXX 系列 FLASH 芯片的操作流程大致如下（以下操作以 W25Q64JV 为例）：

1. 初始化：

- 使能相关 GPIO 时钟，配置片选信号（CS）引脚为推挽输出、上拉模式。

- 初始化 SPI 接口，可设置时钟频率等参数。

- 读取 FLASH ID，确定芯片型号。对于 W25Q256 等大容量芯片，还需检查地址模式，若不是 4 字节地址模式，则进入该模式。

2. 读操作：

- 读状态寄存器：通过发送相应指令（如 0x05）读取状态寄存器的值，以了解芯片的当前状态，如是否忙碌等。

- 读数据：根据不同的读取指令，如标准 SPI 读取数据指令（0x03）、单线快速读取数据指令、双线快速读取数据指令、四线快速读取数据指令等，发送指令、地址等信息，从指定地址读取数据。

3. 写操作：

- 写使能：在进行页编程、擦除或写状态寄存器等操作前，需发送写使能指令（0x06）。

- 页编程：使用指令（0x02）进行页编程，一次最大可写 256 字节的数据。注意写入地址需满足页对齐（对于 W25Q64JV，地址需能被 256 整除），若部分写且超过当前页地址范围，会回到页首覆盖写。编程过程中可检查 BUSY 位确定是否完成。

4. 擦除操作：

- 区擦除：发送指令（0x20），一次擦除 4KBytes。擦除前需发送写使能指令。

- 块擦除：指令为（0xD8），一次擦除 32KBytes；或指令（0x52），一次擦除 64KBytes。同样需先写使能。

- 芯片擦除：使用全擦除指令（0xC7），不建议经常使用，因耗时且会损耗 FLASH。

5. 其他操作：

- 软复位：依次执行使能复位指令（0x66h）和复位指令（0x99h）。

- 写保护：上电后设备自动进入写禁止状态，在特定编程或擦除指令前需先进行写使能，相关指令完成后，写使能自动变为 0。

- 等待空闲：通过读取状态寄存器的 BUSY 位，等待芯片处于空闲状态，再进行其他操作。

- 掉电与唤醒：可使用指令（0xB9）进入掉电模式，指令（0xAB）唤醒。

实际操作时，需要根据所用的具体芯片型号（如 W25Q80、W25Q16、W25Q32 等）以及硬件连接情况，来调整代码中的相关参数和指令。同时，确保正确配置 SPI 接口的时钟、极性和相位等参数，以满足芯片的通信要求。

在进行写操作（页编程、擦除等）后，务必使用`w25qxx_wait_busy`函数等待芯片空闲，以确保操作完成。另外，由于 FLASH 芯片的特性，擦除操作只能按扇区、块或全片进行，写操作之前通常需要先擦除相应的区域，且写入的数据位只能从 1 变为 0。

具体的操作指令、寄存器定义和详细的操作细节，可以参考华邦 W25QXX 系列芯片的数据手册，以确保操作的正确性和兼容性。不同型号的 W25QXX 芯片在容量、地址空间、指令等方面可能会有所差异，但基本的操作流程是相似的。