无锡新洁能在产品研发方面具有以下一些优势：

1. 技术团队实力雄厚：核心管理和科研团队均具有多年的功率半导体研发、管理从业经验，多人曾有国内半导体领先企业的相关工作经历。公司控股股东、实际控制人朱袁正先生在半导体行业内拥有超过30年的研究和工作经历，是国内MOSFET等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者。以其为领军人物的公司研发团队，是国内最早一批专注于8英寸晶圆片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者之一，在该领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。

2. 具备独立的芯片设计能力和自主工艺流程设计平台：公司深耕半导体功率器件行业，是国内最早专门从事MOSFET、IGBT研发设计的企业之一，能够基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品。

3. 率先掌握多项关键技术并实现量产：是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一；也是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一，还是国内唯一一家完全基于8英寸芯片工艺平台开发设计MOSFET和IGBT产品的功率半导体设计类龙头企业。

4. 持续的自主创新能力：不断突破技术壁垒，优化产品性能，致力于解决国内集成电路行业“卡脖子”问题。公司拥有多项专利，截至2020年1月19日拥有97项专利，其中发明专利35项、实用新型59项，外观设计3项。并且在新技术领域积极推进研发项目，例如拥有“高浪涌电流能力碳化硅二极管”“一种高耐压的碳化硅肖特基二极管”等多项相关专利，积极推进“SiC肖特基二极管工艺技术”、“氮化镓功率 HEMT工艺”等研发项目。

5. 产品系列齐全：产品电压已经覆盖了12V~1350V的全系列产品，达1300余种。

6. 产品先进：其产品在技术水平、生产工艺和产品质量等方面已达到国际先进水平，并凭借成本、区域优势逐步实现对中高端功率器件产品的进口替代。

这些优势使得无锡新洁能在功率半导体器件领域具备较强的市场竞争力，并能够不断推出满足市场需求的高品质产品。