长江存储晶栈 Xtacking 与其他存储技术相比，具有以下优势：

1. 更高的性能：实现了更多的 I/O 通道数量和高达 2400MT/s 的 I/O 接口速度，符合 ONFI 5.0 标准。与前一代产品相比，性能提高了50%，能够满足游戏等高需求场景对于 SSD I/O 能力的要求，例如快速切换以及提升画面流畅度等。

2. 更高的存储密度：晶栈 Xtacking 3.0 架构是长江存储历史上比特密度最高的闪存产品，可在超紧凑的单晶片上实现 1TB 的存储容量。其创新地将外围电路置于存储单元之上，相比传统 3D NAND 可减少约 25%的芯片面积，在同等面积基础上能够提供更多的存储单元。

3. ：创新的 6 平面设计，每个平面都支持同步多平面独立运行，与传统的 4 平面架构相比，新架构的性能可提升 50%，而功耗可降低 25%。

4. 灵活的生产方式：存储单元和外围 CMOS 线路独立加工的特性，使其可以实现并行和模组化的灵活生产。

晶栈 Xtacking 架构通过在两片独立的晶圆上分别加工外围电路和存储单元，然后在芯片封装阶段将两者合二为一，这种方式在逻辑工艺上有着更多的自主选择性，从而让 NAND 获取更多的 I/O 通道、更高的接口速度。同时，其为存储单元晶片引入了背面源极连接（BSSC），实现了更简单的工艺和更低的成本。