长江存储科技有限责任公司的发展历程如下：

- 2006年，武汉新芯集成电路制造有限公司成立，它是湖北省和武汉市进军集成电路制造领域的产物。

- 2008年9月，武汉新芯开始为美国Spansion（飞索半导体）生产NAND Flash闪存，技术水平处于65nm阶段。

- 2010年，飞索半导体业绩下滑，武汉新芯订单量急剧下降，开始寻求出售。

- 2011年，中芯国际投资10亿美元控股武汉新芯。

- 2013年，中芯国际退出武汉新芯。

- 2014年10月，3D NAND闪存项目正式启动。

- 2014年11月，国家集成电路大基金成立，推动中国先进集成电路产业发展。

- 2015年6月，9层3D NAND闪存测试芯片通过电气性能验证。

- 2016年3月，武汉新芯宣布将投资240亿美元在武汉打造世界级的半导体存储企业，集中精力研究生产NAND FLASH和DRAM，项目分三个阶段部署。

- 2016年7月，32层3D NAND闪存测试芯片设计完成；同月，紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北省科投等在武汉新芯的基础上成立了长江存储公司并控股武汉新芯，长江存储由紫光集团子公司紫光国芯、集成电路基金、湖北国芯产业投资基金合伙企业和省科投共同出资，其中紫光国芯出资197亿元人民币，占51.0%；同年，长江存储第一代3D NAND闪存测试芯片设计完成，一期工厂也开始建设。

- 2017年10月，长江存储成功设计制造了中国首款3D NAND闪存，并于次年实现量产。

- 2018年8月，长江存储发布自主创新研发的晶栈Xtacking技术架构；同年4月，其闪存芯片获得第一笔订单。

- 2019年9月，搭载长江存储自主创新Xtacking架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产；同年，第三代TLC 3D NAND（X2-9060）设计完成，并实现首次流片。

- 2020年4月13日，首款第三代128层QLC 3D NAND闪存（型号：X2-6070）研发成功；同年，长江存储宣布自有SSD品牌——致钛，并相继推出SC001 Active、PC005 Active以及木星10三款产品。

- 2021年，第三代TLC/QLC NAND（X2-9060/X2-6070）量产，eMMC/UFS量产出货，长江存储1期工厂实现满产。

- 2022年，基于第三代NAND的系统解决方案上市；同年10月26日，长江存储推出致态TiPlus7100；12月，长江存储正式发布基于晶栈Xtacking 3.0技术的第四代TLC三维闪存X3-9070，并成功量产232层3D NAND闪存芯片X3-9070，该芯片被应用在致态TiPlus7100 SSD和海康威视CC700 2TB SSD等产品上。

- 2023年9月26日，正式发布Ti系列家族的首款产品——致态Ti600固态硬盘。

长江存储是一家专注于3D NAND闪存设计制造一体化的IDM集成电路企业，同时也提供完整的存储器解决方案。其发展打破了国外企业对存储芯片市场的垄断局面，在闪存技术领域取得了显著成就。