第三代以氮化镓（GaN）为代表的宽禁带半导体材料，目前在手机快充方面已经有批量案例，也取得了比较好的市场效益，在工程设计及客户应用端有了一定的技术积累，但是主要还集中在消费类方面，其应用的功率等级及效率并没有取得大幅度的提升。

氮化镓这种宽禁带半导体材料所具有禁带宽度、击穿电场、热导率和电子饱和速率等优异物理特性并没有完全在应用端发挥出来，整体性价并没有达到很好效果。

随着未来上下游工程设计能力提升、产业应用需求驱动，氮化镓在汽车、通信、数据中心、行业基础设施、航空航天等供电系统上都能很好地发挥其物理特性，实现高效率、高性价比、高功率密度、高可靠性。

Nexperia的氮化镓产品专注于高功率密度、高效率和高可靠性的工业市场，在2019年率先推出行业领先性能的第三代半导体氮化镓功率器件（GaN FET），主要应用于数据中心、通信基站、动力储能系统、逆变器、充电桩、新能源汽车电控管理等，已经有几款满足车规AEC-Q101认证的产品进入量产阶段，未来会推出更丰富的产品组合，我们也在积极地跟汽车、通信、能源等行业在全球领先的客户进行合作，为产业应用提供最优化的产品。同时安世半导体正在计划氮化镓由6寸晶圆升级到8寸晶圆，提前布局产能来应对未来需求，实现效益最大化。