Nexperia宣布推出具有革命性的新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET，这些器件采用了高可靠性的LFPAK88封装，专为汽车（BUK7S0R5-40H）和工业（PSMNR55-40SSH）应用设计。作为Nexperia所生产的RDS(on)值最低的40 V器件，这些新产品不仅大幅提升了功率密度，还在性能和可靠性方面实现了重大突破。

令人瞩目的是，这些新型MOSFET提供的功率密度相比传统D2PAK器件提高了50倍以上，这一显著优势使得设计师能够在更小的空间内实现更高的功率输出。此外，这些器件在雪崩和线性模式下均展现出卓越的性能，进一步增强了其耐用性和可靠性。

Nexperia产品市场经理Neil Massey表示：“新型8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET的成功在于我们将高性能超结硅技术与成熟的LFPAK铜夹片技术完美结合。低RDS(on)使我们能够在封装中集成更多芯片，从而提高功率密度并减小器件尺寸。这一创新设计将为我们的客户带来前所未有的优势。”

在性能上，这些新型功率MOSFET尺寸为8 x 8 x 1.7 mm，具有卓越的线性模式/安全工作区域(SOA)特性。在1 ms、20 VDS的工作条件下，其SOA高达35 A，而在10 ms、20 VDS的条件下，SOA也能达到17 A。这些数据相比竞品具有显著优势，甚至高出1.5倍至2倍。此外，这些器件还提供了最佳单脉冲雪崩额定值(EAS) 2.3 J以及超强ID电流额定值500 A，这些极限值都是经过实际测量得出的，而非理论上的预估。

对于设计师而言，采用Nexperia的8 x 8 mm LFPAK88 MOSFET意味着可以用一个新型器件替换两个并行老式器件，从而简化制造过程并提高整体可靠性。此外，BUK7S0R5-40H器件符合AEC-Q101标准，其可靠性超出车规标准要求两倍，非常适合制动、助力转向、电池防反保护、e-fuse、DC-DC转换器和电机控制等汽车应用。而PSMNR55-40SSH MOSFET则适用于工业领域的电动工具、电器、风扇、电动自行车、滑板车和轮椅中的电池隔离、电流限制、e-fuse、电机控制、同步整流和负载开关等应用。

总的来说，Nexperia推出的这款新型0.55 mΩ RDS(on) 40 V功率MOSFET以其卓越的功率密度、性能和可靠性，为汽车和工业应用提供了全新的解决方案。随着这些新型器件的上市，相信Nexperia将继续在功率半导体领域保持领先地位，为市场带来更多创新产品。