1 产品介绍

PV逆变器市场在2021年迎来了飞速发展，对 SiC功率器件的需求也在快速增长。SiC硅二极管、 MOSFET等器件由于其具有较高的频率，可用于 BOOST等器件，具有较高的工作频率，可有效降低器件的功耗，降低器件的体积。杨兴科技的 SiC MOSFET是为了满足光伏和电动汽车的需要而设计的，在开关性能、通流容量和可靠性上都是业界最好的。该产品既可用于传统的开关，又可用于高电压、高速度的控制场合，使用环境友好的材料，并符合环保法规。

2 产品特点

• 耐高温特性，工作温度（150°C）;

• 单极性器件,开关速度快，损耗低，适用于高压，高频的应用条件;

• 采用先进的减薄工艺，使SiC MOSFET具有优异的低阻抗特性，减小器件能量损耗;

• 通过行业严苛的可靠性认证，包括大批量的HTRB、HTGB测试和HV-H3TRB测试;

• 有多种封装方式供选择，如TO247AB、TO247-4L;