2017年10月，长江存储主要通过自主研发与国际合作互相结合的方法，成功研发并成功制造了中国首款3D NAND闪存。2019年9月，搭载长江存储自主创新 Xtacking® 架构的第二代TLC 3D NAND闪存正式量产。2020年4月，长江存储第三代TLC/QLC两款产品研发成功，其中X2-6070型号作为第一款第三代QLC闪存，拥有发布之时*业界*最高的I/O速度，最高的存储密度和最高的单颗容量。

到目前为止长江存储已在武汉、北京等地设有研发中心，全球总共有员工8000余人，其中研发工程技术人员等6000余人。通过不断的努力和技术的进步创新，致力于成为存储技术的领导者，全球半导体产业的核心价值贡献者。

*发布之时指2020年4月10日，业界指全球全部3D NAND闪存颗粒原厂，最高的I/O速度达1600MT/s，符合当时ONFI最高标准，最高存储密度指当时业界相同容量的芯片横向对比中长江存储X2-9070面积更小，最高的单颗容量指的是单颗裸片(die) 1.33Tb容量。