1.6.3  晶体三极管的主要参数

    晶体管的参数比较多,这些参数可以从晶体管手册里查到,下面介绍几个主要参数。

    1.共发射极交流电流放大系数B(hfe)

    我们已经知道,晶体管最重要的特点就是具有电流放大作用,当基极电流Ib有微小的变化时,就会引起集电极电流很大的变化。

    共发射极接法时,集电极输出交流电流的变化量△lc与基极输入交流电流的变化量△IB的比值,就叫做电流放大系数,用字母B表示:

                                    B=输出电流的变化量/输入电流的变化量=△IC/△IB

    由于制造工艺和原材料不可能完全相同,即使同一型号的管子,其B值也有相当大的差别,晶体管的B值一般在几十到几百之间。B值太小,电流放大作用就差,但B值太大也并非好事,它可能使晶体管性能不稳定,在使用时应该加以注意。

    在晶体管手册中,常用hfe这个符号代表B值。

    2.共发射极直流电流放大系数hfE

    hFE是共发射极接法时,集电极输出的直流电流与基与基极输入的直流电流的比值,即:

                                                                                                                                                       hFE=IC/IB

    hFE值和B(hfe)值不完全相同,但是比较接近。

    由于测量△IC和△IB的手续比较繁琐,为了简化测试,有时就直接用IC和IB的比值(即hFE)来衡量管子的电流放大能力。

    3.集电极反向饱和电流ICBO

    当发射极开路时,在基极和集电极之间加上规定的反向电压VCB,这时流经集电结的反向电流叫做集电极反向饱和电流,用ICBO表示。

    ICBO说明集电结的质量,良好的晶体管ICBO很小,在常温下,小功率锗管的ICBO大约10uA左右,小功率硅管的ICBO在1uA以下,甚至更低。大功率锗管的ICBO要大得多,可以达到几mA。而硅管的ICBO只有同功率锗管的百分之几。

    ICBO的数值受温度的影响很大,当环境温度升高时,ICBO迅速增大。

    4.集电极-发射极反向电流(穿透电流)ICEO

    这是基极开路时,在集电极和发射极之间加上规定的反向电压VCE时的集电极电流,常常称为穿透电流。

    穿透电流ICEO和集电极反向饱和电流ICBO之间有一定的关系,即:

     ICE0≈(1+B)IcBo

式中,B是晶体管的电流放大系数

    IcBO和Icr0受温度影响极大,它们是衡量管子热稳定性的重要参数,其值越小,性能越稳定。

    5.特征频率fT

   fT是全面地反映晶体管的高频放大性能的重要参数。因为当频率f上升时,晶体管的B就会下降,当B下降到1时,所对应的fT称为特征频率。它反映了晶体管的高频放大性能。