SGS-Thomson 公司还-提供了一种称为 VIP MI 的垂直智能功率技术,该技术采用双极型工艺和 PN 结隔离技术。在生长第一层厚外延层后,应用 P 型掩埋层将底层元件与功率部分隔离开,P 型掩埋层也是功率器件的基区。N 型掩埋层既被用作低阻集电区,也是功率器件的发射区。二次外延生长后,进行扩散形成隔离区和集电极缓冲区,最后完成低压区 NPN管的基区和发射区,如图 10-8 所示。根据两种掩埋层之间的击穿电压可确定控制电路工作电压的上限,采用适当终端技术可使功率极的击穿电压高达 1200V,集电极输出电流可达 15A。

功率部分

故工作范围在 10kVA 量级。该公司称采用 VIPMI 工艺制作的功率器件,具有以 1000V/μs的 du/dt 来驱动直流电机,并在 600V 电压下控制 10A 电流。