(1)栅极(G)的判别如图5-73所示,将万用表置于“R×l k”挡,然后将万用表红黑表笔接在VMOS场效应晶体管的三个引脚上,然后分别测量三个引脚之间的电阻。若检测某引脚与其余两引脚的电阻值均呈无穷大,并且交换表笔后仍为无穷大,则说明此引脚为栅极(G)0注意,此种判别法只限于VMOS场效晶体管内无保护二极管的情况。

(2)源极(S)、漏极(D)的判别如图5.74所示,将万用表置于“R×lk”挡,先用表笔将被测VMOS场效应晶体管三个引脚短接一下,然后交换表笔法测两次电阻值(正常时有一大一小的电阻值),其中电阻值较大的一次测量中,黑表笔所接的为漏极(D),红表笔所接的为源极(S);而阻值较小的一次测量中,红表笔所接的为漏极(D),黑表笔所接的是源极(S)。同时说明所测的VMOS场效应晶体管为N沟道场效应晶体管,若被测VMOS场效应晶体管为P沟道场效应晶体管,则所测电阻值的大小正好相反。

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