功率 MOS 场效应晶体管的极限参数:① 最大输出功率 PDmax受器件最大允许漏极电流、最大允许漏源电压和最小漏-源电压限制。

②最大漏极电流 IDmax实际的上由某些如内引线的熔断电流、压焊点的面积、金属化电极的电迁移等非工作原理决定的因数所限定。

③ 安全工作区与二次击穿为漏电流增加时,漏源电压突然减小。这种现象的产生,主要是因为功率MOS 管存在由源-衬底-漏组成的寄生双极型晶体管之故。

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