普通达林顿晶体管性能好坏的检测方法
发表:2023-08-29 12:09:30 阅读:68

普通达林顿晶体管性能好坏的检测方法

 

普通达林顿晶体管性能好坏的检测方法与普通晶体管的基本相同,其方法如下:

 

1)将万用表置于“R × 10k”之间的正、反向电阻值。

 

2)测基极(B)与发射极(E)之间的正、反向电阻值时,万用表表笔与基极(B)、发射极(E)的连接方法如下:测NPN型普通达林顿晶体管时,黑表笔接基极(B);测PNP型普通达林顿晶体管时,黑表笔接发射极(E)。它们之间正常时的电阻值是一般正向电阻值在5~30kΩ之间,反向电阻值为无穷大。

 

3)测基极(B)与集电极(C)之间的正、反向电阻值时,万用表表笔与基极(B)、集电极(C)的连接方法如下:测NPN型普通达林顿晶体管时,黑表笔接基极(B);测PNP型普通达林顿晶体管时,黑表笔接集电极(C)。它们之间正常时的电阻值是一般正向电阻值在3~10kΩ之间,反向电阻值为无穷大。

 

4)集电极(C)与发射极(E)之间的电阻值一般接近无穷大。在上述测量过程中如,果基极(B)、发射极(E)问正、反向电阻值,基极(B)、集电极(C)间的正、反向电阻值,集电极(C)、发射极(E)问的正、反向电阻值均接近0,则说明该管已被击穿损坏。若测得基极(B)、发射极(E)问或基极(B)、集电极(C)间的正向电阻值为无穷大,则说明该管已开路损坏。

 

 

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