在路检测晶体管判别性能的好坏

(1)在路不加电检测

将万用表置于“R×10”或“R×1”挡,测出晶体管各极的正、反向电阻值。以PNP型锗晶体管为例,若测得发射结正向电阻值在30Ω左右、反向电阻值在数百欧以上,则说明该晶体管发射结正常。再测量集电结正、反向电阻值,如果与测试发射结的结果相近,则说明该晶体管集电结良好,并且可判定其性能是良好的。在测试过程中,如果测出的反向电阻值较大或较小,则可能是PN结已开路或已被击穿损坏。对于此类情况,应将晶体管从印制电路板上焊下来,按以前有关内容介绍的检测方法对其进行单独复测,以进一步核实该晶体管是否已损坏。测试NPN型晶体管,其测试方法与PNP型晶体管的方法相似,只是应交换表笔、测得的正反向电阻值略大而已。

(2)在路加电检测

处于线性放大状态的晶体管在正常工作时,发射结上应有正向偏置电压(锗晶体管为0.2~O.3V、硅晶体管为O.6~O.8V),集电结上应有反向偏置电压(一般在2V以上),可用万用表适当的直流电压挡进行测量。具体测试方法如图5—56所示,如果测得的电压不在正常范围之内,则说明晶体管有问题。另外,当晶体管发生故障时,各电极的对地直流电压也会发生变化,此时可通过测量集电极和发射极对地电压值的大小来判断。

晶体管在路放大能力如下:将万用表置于直流电压挡,红表笔接在集电极(C)焊点上,黑表笔接在发射极(E)焊点上,再用电线将基极(B)与发射极(E)(或地)瞬间短路一下,若万用表指针摆动较大,则说明被测晶体管有放大能力(通常指针摆幅越大,晶体管的放大能力就越强)。需指出的是,此方法不宜测试在高电压下工作的晶体管,测前需对晶体管周围的元器件进行了解。

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