美光34nm企业级闪存颗粒MLC版本写入寿命可达3万次,SLC版本达到30万次,分别是之前民用产品的6倍和3倍。与此同时,由于支持ONFI 2.1同步接口,其数据传输率也有4到5倍的提升。其MLC版容量为32Gb,SLC版为16Gb,通过多die封装技术可以制造出32GB MLC或16GB SLC颗粒,其寿命比之前的民用级产品有数倍的提升。

美光NAND闪存从去年年底就开始进入34nm工艺时代,首批34nm MLC闪存写入寿命只有1500次,只能使用在MP3、存储卡、U盘等应用中,无法满足固态硬盘的需要。今年2季度,美光推出了可用于固态硬盘使用的34nm闪存,MLC颗粒写入寿命达到5000次,SLC颗粒寿命达到10万次,再加上闪存控制器负载均衡技术的帮助,已经可以用于SSD。随后在第三季度,每存储单元可存放3bit数据的3bpc大容量34nm NAND闪存也开始投产。而今,终于来到了最后一步长寿命企业级闪存。美光表示,目前其整个NAND闪存生产线已经几乎全部迈入34nm工艺。

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