运输和保存电子元器件的方法
现代电子元器件结构精密,且各种元器件都具有不同的特点,在运输和保存过程中必须注意以下四点:
1.防冲击
电子元器件有金属封装、玻璃封装、陶瓷封装和塑料封装等多重形式,由于结构紧凑,在加有外包装的情况下,一般是不怕冲击的。但由于期间内部引线很细。陶瓷和金属封装外壳又很坚硬,在大冲击力的情况下可能造成损坏陶瓷基低,使内部开裂或断线,因此在运输和保存过程中注意防冲击还是十分重要的。
2.防潮湿
使用塑料封装的半导体器件耐潮性能较差,容易造成元器件腐蚀而损坏。用塑料封装的集成电路两端是开口的,仅用卡子卡住,也容易受潮。另外还有一走私的电子元器件,为了避免检查,有的将所有包装去掉,这元器件受潮湿的可能性最大。电子元器件受潮后,轻者会引起其性能产生变化,严重时会造成霉变使引线断裂而损坏。
3.防高温
防高温是在存放过程中应当十分注意的,电子元器件怕热,若存放处的环境温度过高会导致元器件的性能产生变化。因此在运输和存放过程中.必须加强防护措施。对静电放电比较敏感的期间,称为静敏期间,如MOS期间、场效应晶体管等。
4.防静电
对静电放电比较敏感的期间,称为静敏期间,如MOS期间、场效应晶体管等。
因静电放电而引起器件失效的原因有:
1)静电高压使布线的层间介质被击穿
2)静电高压使器件(如MOS器件)的栅极被击穿;
3)放电电流引起期间局部过热而造成损坏。
以MOS器件为例,随着超大规模集成电路技术的快速进步,制造工艺不断提高,栅氧化层厚度越来越薄,如CM4000系列数字集成电路,SiO2绝缘厚度仅为0.15~0.17mm,耐压也只有100V左右,超过此限度就会讲SI02薄层击,而人体在一般情况下静电可达2000~3000V,所以在运输存放过程中,一不注意就会造成静电对器件的损坏。
双极型集成电路受静电引起失效,多发生在输入端。
NPN型晶体管受静电冲击后会造成反射结损坏,其表现为反向击穿电压降低或反向漏电流增大,直流参数变差。
静电对元器件的损坏是在人们知不觉中发生的。在运输和存放过程中,一般元器件的包装盒(如塑料盒)可使半导体器件带有上千伏的静电电压,在通常情况下,静电电压只要达到300V左右,就可以使那些对静电感应灵敏的半导体器件失效。
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