W78E858单片机的E²PROM工作原理

Winbond W78E858片内集成了128字节的E²PROM存储器, 它占用外部数据存储空间的FF80H~FFFFH 地址范围。在复位后,E²PROM默认状态是被禁止的。访问上述空问.会最终访问外扩的数据存储器.只有设置ENEEPROM (CHPCON.5,W78E858新增)价为1后.才可使用它。将03H写入MXPSR专用寄存器,就可选择R0和R1作为地址指针。W78E858提供了对E²PROM存储器的字节写入、页写入和软件写保护等功能。

1.Winbond W78E858的字节写入

字节写入功能是自动完成的向E²PROM仅装载一个字节数据,就启动一次内部编程周期,写入的时间是自定时的.可通过检测BUSY信号确定写操作是否完成。

2.Winbond W78E858的页写入

E²PROM存储器可分为2个页,每页包含64字节。页写入模式允许在一次内部编程过程向E²PROM写入64个字节的数据.页写入的启动过程和字节写入类似,只是在第一字节装载完成后,要在TBLC(字节装载周期)时间内,装载第二字节.其他字节依次类推,这时E²PROM就会停留在装载周期,而不会进入内部编程周期。如果距上次装载的时间超过:300μs,那么E²PROM就启动一次内部编程周期.对一页数据进行写入.写入的页是由地址的第6位确定的,在向缓冲认加我数据时,所有数据都应该是同一个页的,但各字节加载的次序可以任意。

3.Winbond W78E858的软件写保护

W78E858还提供了可选的E²PROM软件写保护功能。在使能这个功能之后,如果要向EEPROM写入数据.那么都要求先向E²PROM写入顺序的3个字节命令,否则对E²PROM的写操作就不会激活.这种写保护机制可防止在上电、掉电过程中,由子噪声而触发错误的E²PROM写入过程。一旦使能写保护后,只有顺序执行6个字节的关闭写保护命令,才能将E²PROM 恢复到没有保护状态。另外,W78E858还提供了软件擦除E²PROM功能.也需要向E²PROM写入6个字节的命令序列。表6.3.1给出三种命令的具体序列发送过程。

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