美光25nm ClearNAND闪存集成ECC纠错功能
发表:2023-08-29 12:13:35 阅读:77

美光25nm ClearNAND闪存集成ECC纠错功能,智能ECC错误校验纠错功能给用户带来了很多的方便,如闪存中也有能融入这样的功能就更完美了。美光推出新概念的大容量闪存产品ClearNAND,针对企业级应用以及消费电子产品,直接在闪存芯片中集成了智能ECC错误校验功能.

美光表示,随着闪存工艺进入20nm级时代,读写闪存过程中的出错几率大大攀升.传统方案将ECC错的工作交由闪存控制器完成,错误几率增大则会影响闪存性能和可靠性.而ClearNAND的意义就是将ECC错误校验电路直接和NANDf习存直接封装在同一颗芯片中,将校验功能从控制器移至闪存芯片内部,并仍然使用原始闪存接口,尽量减少对原始NANO闰存信号接口协议的修改.
 
首批美光ClearNAND产品使用25nm工艺制造,未来还将升级到更先进制程.目前,该系列有两大产品线:标准版Standard ClearNAND容量8GB到32GB,主要针对便携媒体播放器以及其他消费电子设备.增强版Enhanced ClearNAND在此基础上又增加了一系列用以改进容量、性能和可靠性的企业级特性,容量16GB到64GB,主要应用于企业运算环境.
 
 
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