英特尔(Intel)与美光(Micron)公布最新协作偏向:两家公司合伙的闪存企业IMFT在新加坡的新闪存工场正式开业。据悉,这间工场耗资近30亿美元,员工人数能够到达1200人。
英特尔(Intel)和美光(Micron)早在2005岁尾即\"联袂\"成立了合伙公司IM Flash Technologies(IMFT),不久前,传出两家公司5年的合约行将期满。而2010岁尾美光独自启动新加坡IM Flash Technologies Singapore(IMFS)的装机和投资,英特尔那时并未明白亮相参加,然后激发了外界对两边协作关系以及英特尔能否继续投资该范畴的诸多猜测,直到近日,跟着英特尔与美光协作偏向的开阔爽朗,早前的业界猜测才最终尘埃落定。
当前,IMFT的两大首要产物出产基地辨别位于美国犹他州的Lehi与弗吉尼亚州的Manassas。个中前者是IMFT旗下制程技能最进步前辈的芯片厂。据悉,IMFT从上一年中期开端,曾经着手出产25nm制程NAND闪存芯片产物,当前正在提拔该产物的产量,估计本年晚些时分将多量量出产。
英特尔与美光科技协作推出新制程技能,让智妙手机、平板核算机中的闪存储器容量更大、体积更小,本年下半年可望推出小于美国邮票,却有128GBs贮存容量的样品。英特尔 (Intel)与美光科技 (Micron)上周公布推出为NAND快闪存储器开拓的新20纳米 (nm)制程技能,这项技能用于出产8GB 多级单位 (MLC) NAND闪存储器元件,可为智能型手机与平板核算机供应高容量、体积小,但有如固态硬盘(SSD)贮存的处理方案。 此次公布的20纳米制程是以本来的25纳米制程根底加以改善。英特尔透露表现,将来还会在制程技能上继续开拓越来越细小的技能。
2011年下半年有望进入大规划出产;届时, 英特尔也在与美光合伙的快闪存储器公司IM FlashTechnologies(IMFT)官方网站上透露表现,20纳米 (nm)制程8GB闪存记忆元件当前正在取样,英特尔与美光公司但愿能推出16GB元件样品,可以供应小于美国邮票,却有128GBs容量的固态贮存处理方案。
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