飞思卡尔LDMOS射频功率晶体管:产品特性:产品功率水平将在100W至300W之间、覆盖了700 MHz至2.7 GHz范围的主要频带、HV8提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏极效率、良好的宽带线性。

应用范围:满足W-CDMA和WiMAX等高数据速率应用、符合LTE和多载波GSM等新兴标准的严苛要求。

飞思卡尔半导体近日推出其下一代横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)射频功率晶体管,以满足蜂窝发射器降低功耗的迫切需求。飞思卡尔的第八代高压 (HV8)射频功率 LDMOS 技术沿袭了公司射频功率晶体管技术,专门用来满足W-CDMA和WiMAX等高数据速率应用以及LTE和多载波GSM等新兴标准的严苛要求。

基于HV8技术的系列器件针对先进功率放大器架构中的运行做了优化,包括与数字预失真(DPD)结合使用的Doherty。飞思卡尔HV8技术的首要优势是提高了运行效率,这样就帮助降低了基站系统的总功耗,进而降低了运营成本。此外,HV8还能够适应先进系统架构的更严苛的操作环境要求。此外,HV8产品还能够利用并扩大飞思卡尔的低成本模压封装系列,具有极高的价值,覆盖了700 MHz至2.7 GHz范围的主要频带。

HV8 性能:作为HV8性能的一个示例,采用双MRF8S9260HHS晶体管的对称Doherty参考设计(针对多载波GSM应用)能够提供58.0 dBm (630W) 的峰值功率、16.3 dB的增益、42.5%的漏极效率(在49.4 dBm (87W)的平均输出功率水平情况下)以及良好的宽带线性。DPD评估也显示,在高达20 MHz的信号带宽中,使用6个GSM载波能够很好地校正这种参考设计。飞思卡尔的HV8 LDMOS平台有效满足了功率放大器制造商的成本、性能和可靠性要求,彰显了飞思卡尔致力于成为通信系统射频领导者的承诺。

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