飞思卡尔半导体扩大RF功率晶体管产品阵容产品特征:运行频率为920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率输出,效率高达42.5%、误差矢量幅度的均方根值不超过2.1%、增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化。

适用范围:基站收发器、GSM EDGE无线网络。

飞思卡尔半导体扩展了它在GSM EDGE无线网络方面的投入。这些器件结合了增强功能,使它们轻松集成到放大器内,同时可提供卓越的性能水平。MRFE6S9046N(920 至 960 MHz)对于GSM EDGE的应用,MRFE6S9046N的运行频率为920 至960 MHz,提供17.8 W 的平均RF功率输出,19dB 的增益,效率高达42.5%,且误差矢量幅度的均方根(RMS)值不超过2.1%。内置在飞思卡尔超模压塑胶封装中,该封装是精确机械公差和成本效率的结合。

在GSM EDGE 业务中,MRF8S18120H/HS 在 1840 MHz 运行时提供 46 W的平均功率,18.2 dB 的增益,42%的效率以及均方根(EVM)值为1.7%的误差矢量幅度。MRF8S9100H/HS 与 MRF8S18120H/HS 内置在结实的气腔陶瓷封装中。MRF8S9100H/HS 还能够在 GSM 800 频段中操作,而 MRF8S18120H/HS 支持在 GSM 1900 频段中的操作。所有这三个器件都是内部匹配的,以简化电路设计,符合 RoHS规范,并且还包含内部 ESD 保护电路。

此外,该封装是表面安装的,这使它能够支持自动化的制造流程。而且,增强型的内部阻抗匹配能使制造商更轻松地适应印刷电路板的变化。内部输出匹配不仅在基本频率上实现了用户友好的终端阻抗,而且还包括赖以实现更高效率的第二和第三个谐波终端,以符合 F 级放大器的理论。

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