【电子资讯-电子街】三极管的极限参数

(1)集电极最大允许电流ICM当集电极电流Ic增加到某一数值,引起β值下降到额定值的2/3或1/2,这时的Ic值称为ICM。所以当Ic超过ICM时,虽然不致使管子损坏,但β值显著下降,影响放大品质。

(2)集电极----基极击穿电压BVCBO当发射极开路时,集电结的反向击穿电压称为BVEBO。

(3)发射极-----基极反向击穿电压BVEBO当集电极开路时,发射结的反向击穿电压称为BVEBO。

(4)集电极-----发射极击穿电压BVCEO当基极开路时,加在集电极和发射极之间的最大允许电压,使用时如果Vce>BVceo,管子就会被击穿。

(5)集电极最大允许耗散功率PCM集电流过Ic,温度要升高,管子因受热而引起参数的变化不超过允许值时的最大集电极耗散功率称为PCM。管子实际的耗散功率于集电极直流电压和电流的乘积,即Pc=Uce×Ic.使用时庆使Pc

PCM与散热条件有关,增加散热片可提高PCM。

晶体三极管用途

晶体三极管的用途主要是交流信号放大,直流信号放大和电路开关。

晶体三极管偏置

使用晶体管作放大用途时,必须在它的各电极上加上适当极性的电压,称为“偏置电压”简称“偏压”, 又“偏置偏流”。电路组成上叫偏置电路。

晶体管各电极加上适当的偏置电压之后,各电极上便有电流流动。 通过发射极的电流称为“射极电流”,用IE表示;通过基极的电流称为“基极电流”,用IB表示;通过集电极的电流称为“集极电流”,用IC表示。

晶体管三个电极的电流有一定关系,公式如下

IE = IB +IC

电子街推荐