【电子资讯】图4 pnp三极管与npn三极管在正向活性区的比较

射极注入基极的电洞流大小是由EB接面间的正向偏压大小来控制,和二极体的情形类似,在启动电压附近,微小的偏压变化,即可造成很大的注入电流变化。更精确的说,三极管是利用VEB(或VBE)的变化来控制IC,而且提供之IB远比IC小。npn三极管的操作原理和pnp三极管是一样的,只是偏压方向,电流方向均相反,电子和电洞的角色互易。pnp三极管是利用VEB控制由射极经基极、入射到集电极的电洞,而npn三极管则是利用VBE控制由射极经基极、入射到集电极的电子,图4是二者的比较。

经过上面讨论可以看出,三极管的效益可以由在正向活性区时,射极电流中有多少比例可以到达集电极看出,这个比例习惯性定义作希腊字母α图4 pnp三极管与npn三极管在正向活性区的比较。

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