随着电子技术的发展,近年来,双击晶体管的发展势头越来越强劲。于是,恩智浦推出突破性小信号(BISS)晶体管系列。恩智浦推出突破性小信号(BISS)晶体管系列主要有两个类别,一类是超低VCEsat双极晶体管,另一类是高速开关类双极晶体管。 这两类晶体管都非常重视以标准SMD(SOT23、SOT457/SC-74、SOT223、SOT89和SOT96/SO-8)作为产品封装架构。这一理念不仅能够满足客户多样化的标准应用需求,同时也为量产提供了保证。

超低VCEsat双极晶体管——旨在尽量降低饱和电阻RCEsat。这也是此类产品架构(芯片设计、半导体衬底电阻、芯片金属化、芯片/封装连接)设计时遵循的唯一理念,其目的是在SMD封装结构中获得低至14 mΩ的饱和电阻。

高速开关类双极晶体管——除了降低饱和电阻RCEsat外,此类器件还需要在快速开关和存储时间ts(大约140 ns)方面进行改进,以满足高频应用需求。此类器件需要在规定的电阻和开关时间之间取得平衡并确定优先级。

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