【电子资讯】EEPROM数据寄存器写使能

·Bit l——EEWE:EEPROM写使能

当EEPROM数据和地址设置好之后,需置位EEWE以便将数据写入EEPROM。此时,EEMWE必须置位,否则EEPROM写操作不会发生。写时序如下(第③和第④步不是必须的):

①等待EEWE为0。

②等待SPMCSR寄存器的SPMEN为零。

③将新的EEPROM地址写入EEAR。

④将新的EEPROM数据写入EEDR。

⑤对EECR寄存器的EEMWE写“l”,同时清零EEWE。

⑥在置位EEMWE的4个周期内,置位EEWE。

在CPU写Flash存储器的时候不能对EEPROM进行编程。在启动EEPROM写操作之前软件必须要检查Flash写操作是否已经完成。第②步仅在软件包含引导程序.允许CPU对Flash进行编程时才有用。如果CPU永远都不会写Flash,则第②步可以忽略。

注意:如有中断发生于步骤⑤和⑥之间则导致写操作失败。因为此时EEPROM写使能操作将超时。如果一个操作EEPROM的中断打断了另一个EEPROM操作,则EEAR或EEDR寄存器可能被修改,引起EEPROM操作失败,建议此时关闭全局中断标志I。

经过写访问时间之后,EEWE硬件清零。用户可以凭此位判断写时序是否已经完成。

EEWE置位后,CPU要停止两个时钟周期才会运行下一条指令。

·Bit 0——EERE:EEPROM读使能

当EEPROM地址设置好之后,须置位EERE以便将数据读人EEAR。EEPROM数据的读取只需要一条指令且无须等待。读取EEPROM时,CPU要停止4个时钟周期。

用户在读取EEPROM时应该检测EEWE;如果一个写操作正在进行,就无法读取EEP—ROM,也无法改变寄存器EEAR。

标定振荡器用于访问EEPROM时的定时。CPU访问EEPROM的典型时间见表2—80。

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