英飞凌的第三代高速系列搭载反并联二极管

英飞凌全新的600V和1200V第三代高速IGBT系列经过优化,适用于硬开关和软开关拓扑。极短的拖尾电流和低关断损耗(比最接近的竞争产品低25%)是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品,最高可使能效提高15%。

极短的拖尾电流和低关断损耗(比最接近的竞争产品低25%)是这种新产品系列的主要特性。利用该系列的器件设计产品,最高可使能效提高15%。

英飞凌该系列不仅具备很低的开关损耗,还拥有极低的通态损耗。这主要归功于英飞凌全球知名的TRENCHSTOP TM 技术——本身具备极低的集电极-发射极饱和电压。

该系列树立了行业开关损耗新标杆,可应用于开关频率超过20kHz的拓扑。

特性:

• 5微秒的短路额定值

• 软开关波形带来出色的抗EMI性能

• 低集电极-发射极饱和电压带来低通态损耗

• 适用于目标应用的优化二极管具备低二极管损耗和快速恢复时间

• 最低的开关损耗使开关频率达到20kHz以上的应用具备较高的能效

• 正集电极-发射极温度系数意味着热损失不是问题和轻松实现并联

• 符合RoHS

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