晶体二极管的特性
发表:2023-08-29 12:04:05 阅读:48

电子资讯晶体二极管的特性

二极管的核心是PN结,PN结具有单向导电性,这是二极管的主要特性。

二极管的导电性能,由加在二极管两端的电压和流过二极管的电流决定,这两者之间的关系称为二极管的伏安特性。用于定量描述这两者关系的曲线称为伏安特性曲线,如图1-6所示。

由图1一6可见,二极管的导电特性可分为正向特性和反向特性两部分。

1.正向特性

指二极管加上正向电压时电流和电压的关系。

当二极管两端所加的正向电压由零逐渐增大时,开始时正向电流很小,几乎为零,二极管呈现很大的电阻,这个区域称为死区.硅二极管死区电压约为0. 5V;锗二极管死区电压约0. 2V。在实际使用中,当二极管正偏电压小于死区电压时,视为其正向电流为零的状态。外加电压超过死区电压后,正向电流开始出现,直到等于导通电压,正向电流迅速增加,这时二极管处于正向导通状态。硅管的导通电压为0.6-0. 7V,锗管的导通电压为0.2-0.3V.

2.反向特性

指二极管加反向电压时电流和电压的关系。

当给二极管加反向电压时,形成的反向电流很小,而且在很大范围内基本不随反向电压的变化而变化,故这个区域称为反向截止区。反向截止时通过的电流称为反向饱和电流,通常硅管有几微安到几十微安;锗管有几十微安到几百微安。这个电流是衡量二极管质量优劣的重要参数,其值越小,二极管质量越好。一般情况下可以忽略反向饱和电流,认为二极管反向不导通。

如果反向电压不断增大到一定值时,反向电流会突然增大,这种现象称为反向击穿,这时二极管两端所加的电压称为反向击穿电压。普通二极管正常使用时,是不允许出现这种现象的。

综上所述,二极管具有加一定的正向电压导通.加反向电压截止的特性。这种特性称为单向导电性。

 

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