三极管的伏安特性

①共射极输入特性表达式为

图4.1.1是一种硅NPN型管的愉入特性曲线。V_CE从零增大到约1V,曲线逐渐右移;V_CE>1V后,曲线几乎不再移动。输入特性形状类似于二极管的正向特性。

②共射极愉出待性表达式为

输出特性曲线如图4.1.2所示。输出特性曲线把晶体管分为三个工作区:

a.饱和区-曲线近乎垂直上升部分与纵轴间的区域。在这一区域内。对应于不同iB值的输出特性曲线几乎重合,i_C不受iB控制.只随V_CR增大而增加,

b.截止区-i_B=I_CBO的那条曲线与横轴间的区域。在这一区域内,i_C几乎为零。

c.放大区-介于饱和汉和截止区之间的区域。在这一区城内,主要受i_B的控制,由于基区调宽效应影响,当i_B一定,而V_CE增大时,i_C略有增加。

上述三个区,分别对应于晶体管的饱和、截止、放大三种工作状态.

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