Hittite Microwave公司自1918年发明以来。超外差接收机已成为射频通信领域的主力,射频工程师过去一直在利用超外差接收机技术的较好频率挽定性及较高灵敏度称优势.这些优势也可在发射端的设备中获得.在典型的超外趁发射机中,先用携带信息的倍号(基带或VO)来调制本振(LO)信号。以产生调制中颐(IF)信号:然后再将此下信号建波并与第二本振信号混颇(上变颇).以产生最终调制射颐信号并用夭线发射出去.
这种双变频电路拓扑可与模拟及数字调制技术一起使用.与签于双变预拓扑的发射机相比直接调制法通过取消一级混频器形其相关的匹配、泥波、VCO/PLL与LO缓冲电路,简化了发射链路.当然。非单片直接调制器的实现也有它自身的问题。 射频集成电路(RFIC)技术的最新进展已促使人们孟新开始对直接变撅架构发生兴趣。在设计一种单片直接调制器时。有几种工艺可供迭择。但只有硅锗(SiGe)HBT工艺能同时拥有高效率、高线性度、高Ft、小尺寸及低成本等多种优势。签于单片宽带I接调制器的上变频器.其寄生与端口匹配问题更少。因此可减少印制板(PCB)面积以及多预段应用中的器件数,直接调制的优势再结合RFIC技术,将导致从双变频架构向频率日益提高的直接调制架构的转换。
硅锗直接调制器Hittite HMC497LP4的特性分析及应用,Mark T. Fallica行梢工程师Hittite Microwave公司与基于双变频拓扑的发射机相比.A接调制方法通过取消一级混频器及其相关的匹配、滩波、VCO/PLL与LO级冲电路.简化了发射链路.本文介绍的宽动态范围硅锗,接调侧器HMC497LP4及其应用电路设计方法能帮助工程师设计出满足多预段应用的宽动态范圈直接调制器,
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