富士通FRAM存储器的特性:高速擦写时不会发生Write busy状态。

串行FRAM系列产品可进行实时存取( I C通讯速率400kH z以下)。

FRAM可进行高速数据擦写,像E2PROM及闪存存储器一样,不会发生Write busy状态,ACK(Acknowledge)响应完成的同时数据写 入也将完成。

可便利地替换E PROM串 行 F RA M系 列 产品 搭载 串 行通 讯I/F I C总线 ,与E P RO M引 脚功能 一致2 2(S OP-8封装: 3.90m m×5.05mm),命令也兼容,因此可直接互换使用。

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